铜掺杂---的制备及电化学性质采用沉淀法于300和600℃制备了结晶状的cu0.04v2o5材料.扫描电镜显示，300℃时制备的样品具有多孔特征，而600℃时制备的样品具有---的结晶度.x射线研究表明，少量铜掺杂不会改变v2o5的正交晶体结构.红外光谱研究表明，300℃时制备的cu0.04v2o5样品含有少量水.热失重分析确定了样品中所含水分是以吸附水的形式存在，1mol材料分子吸附水的摩尔数约为0.18mol.铜掺杂------了v2o5的结构稳定性，进而提高了材料的充放电循环性能.于600℃制备的样品在c/5.6倍率下具有160mah·g-1的可逆比容量，但提高放电倍率明显降低了材料的循环性能.于300℃制备的样品在c/5.6倍率时的循环性能不如600℃样品，但该材料在c/1.9倍率时仍具有100mah·g-1左右的可逆比容量.两种材料在电化学性能上的差异与材料的微结构有关.低温样品在较高放电倍率时---的循环性能得益于其多孔的微结构，而高温样品由于其较高的结晶度而表现出优异的低倍率充放电性能.
废触媒含有大量油渍，粘稠、不易进行分析样品的制备和测定。选用酒精燃烧除油法除去样品中油渍使其成为松散样品，选择样品前处理的佳温度为500～600℃，对两种测定---方法即直接测定法和两步测定法进行了比较。结果表明，直接测定法测定废触媒中---含量，不需要进行烧失量校正，------，简化了分析步骤，安庆---，相对标准偏差为0．18％～0．60％，回收率在98．4％～103．4％之间。分别进行不同实验室之间及icp—aes法测定结果比较，结果吻合较好，该方法具有较好的适用性和可操作性。
分别以---为钒源、为溶剂和以---为钒源、稀---为溶剂，通过低温水热法合成了---纳米带和纳米板。并利用x射线衍射(xrd)、傅里叶红外光谱(ft-ir)和场发射扫描电镜(sem)对产物进行表征。结果表明，反应产物均为正交的---晶型，高纯---，纳米带宽度100～300 nm，厚度约100 nm左右，纳米板形状规则，分布较为均匀，厚度在纳米级别。
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