试样经偏硼酸锂熔融分解,用约0.4mol/l的溶液热提取后,采用icp—aes法同时测定---中硅、铁、磷、硫、钾、钠杂质元素的含量。通过筛选分析谱线、合理扣除背景干扰以及采用基体匹配的方式消除钒对杂质元素的分析干扰,通过调节仪器的佳工作参数,采用本方法测定物质,测定结果同认定值无明显差异,徐州---,相对标准偏差(n=11)为127%-4.58%,高纯---,方法的检出限在0.001-0.027mg/l。
用工业v2 o5为原料采用无机溶胶 -凝胶法制备v2 o5溶胶和凝胶 ,并用此胶体在不同衬底上制备出透明的半导体v2 o5薄膜。研究了胶体粘度对涂膜的影响 ,以及薄膜电阻率与温度、烘干处理和厚度的关系。用扫描电子显微镜 (sem)研究了薄膜的微观形貌 ,用xrd研究了薄膜的成份及其变化。结果表明 :胶体粘度对涂膜有较大影响 ;温度、湿份、薄膜厚度对薄膜电阻率均有较大影响 ;v2 o5薄膜由针状v2 o5颗粒组成 ,在衬底上呈均匀分布 ,---催化剂,且结构比较密集 ,其颗粒径向尺寸为 0 .5~ 1.0 μm ,长度方向为 3 0~ 5 0 μm。烘干处理后颗粒轮廓略有模糊、结构稀疏且尺寸有所长大 ,同时新生成了一些钒化合物。
对钒矿石进行了无盐焙烧—---浸出—p204有机萃取—铵盐沉钒提取---的工艺研究。结果表明,该钒矿石于800℃焙烧1.5 h、焙烧矿磨矿粒度小于1.19 mm占84%的条件下,用---浸出,钒的浸出达90%以上;用p204和tbp的---溶液萃取、再用---沉钒,终得到纯度98.74%的---,全流程钒回收率达85%以上。
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