采用溶剂热法制备了碳纳米管穿插的分级结构---空心球(vocx).使用xrd、sem、循环伏安曲线和充放电曲线研究了不同碳纳米管量对产物结构、形貌和电化学性能的影响.结果表明，碳纳米管的加入明显---了voc的倍率特性.碳纳米管含量为7.1%时，0.5 a·g-1电流密度下，其比电容达到346 f·g-1，8 a·g-1电流密度时，---生产厂家，其电容保持率可达75%.与活性炭组装成混合电容器，在功率密度为700 w·kg-1时，能量密度达12.6 wh·kg-1.
本文采用碳热法还原v2o5制备钒的氧化物vo2。用xrd分析生成物的相结构，--- 用途，用dsc/tga的分析结果推测反应历程。结果表明:反应经历了674°c-710°c期间生成v6o13和710°c以上完全形成vo2的过程。将vo2与las玻璃复合烧结成陶瓷，铜陵---，对其进行阻温测试，结果表明:在室温至100°c间复合陶瓷电阻急骤下降，这是由vo2的半导体-金属相变效应引起的。
采用原位插层聚---制备出层状有序的聚n-[5-(8-------)]/介孔---(pnqa/meso-v2o5)杂化材料.结果显示，pnqa插入后，---厂家制作，meso-v2o5的层间距由2.4nm增加到2.81nm，得到的杂化材料仍保持---的层状结构.杂化材料的室温电导率比meso-v2o5高出3个数量级.荧光分析表明，在---介质中杂化材料的发射谱带与pnqa相比蓝移22nm，杂化材料的荧光产率(26%)明显高于pnqa(10%).
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